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UnitedSiC, 최첨단 4세대 기술 기반 신제품 4종 주목
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UnitedSiC, 최첨단 4세대 기술 기반 신제품 4종 주목
  • 권오성 기자
  • 승인 2021.02.08 15:14
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사진=UnitedSiC 제공. [반응이 센 CBC뉴스ㅣCBCNEWS]
사진=UnitedSiC 제공. [반응이 센 CBC뉴스ㅣCBCNEWS]

[CBC뉴스] SiC(실리콘 카바이드) 전력 반도체 선도기업인 UnitedSiC가 최첨단 4세대 SiC FET 기술 플랫폼을 기반으로 한 첫 신제품 4종을 출시했다고 밝혀 주목받고 있다. 

현재 시장에 출시된 최초이자 유일한 750V SiC FET인 이들 4세대 제품은 자동차, 산업용 충전, 텔레콤 정류기, 데이터 센터 PFC 및 DC-DC 변환을 비롯해 재생 에너지 및 에너지 저장과 같은 전력 애플리케이션에 이점을 제공하는 선도적인 FoM(Figure of Merit)을 기반으로 새로운 성능 수준을 지원한다.

18mΩ 및 60mΩ 옵션으로 이용이 가능한 이들 SiC FET신제품은 단위 면적당 온저항 감소와 낮은 고유 커패시턴스(intrinsic capacitance)로 타의 추종을 불허하는 FoM을 제공한다. 하드 스위칭 애플리케이션에서 4세대 FET는 가장 낮은 RDS(on) x EOSS(mΩ -uJ)를 나타내어 턴온 및 턴오프 손실을 낮춘다. 

소프트 스위칭 애플리케이션에서 낮은 RDS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 사양은 낮은 전도 손실과 높은 주파수를 제공한다. 이들 제품은 저온(25°C) 또는 고온(125°C) 동작 모두에서 기존의 경쟁 SiC MOSFET의 성능을 능가할 뿐만 아니라 낮은 데드 타임 손실과 향상된 효율성을 제공하는 탁월한 역 회복 기능을 갖춘 최저 통합 다이오드 VF를 제공한다.

UnitedSiC의 제품군을 750V로 확장하면서 이들 신제품은 더 많은 설계 헤드룸을 제공하고 설계 제약을 줄여준다. VDS 정격 또한 높기 때문에 400/500V 버스 전압 애플리케이션에 유용하다. 

+/- 20V, 5V Vth의 널리 호환되는 게이트 드라이브로 모든 장치를 0 ~ + 12V 게이트 전압으로 구동할 수 있다. 따라서, 기존 SiC MOSFET, Si IGBT 및 Si MOSFET 게이트 드라이버와 함께 연동이 가능하다. 

UnitedSiC 측은 “발표한 신제품들은 DC-DC 변환 및 온보드 충전에서 역률 보정 및 태양 광 인버터에 이르기까지 전압 및 전력 수요가 가장 높은 분야에서 작업하는 엔지니어들이 직면한 문제를 해결하는데 도움을 줄 수 있다”고 밝혔다. 

또 “올해 비용 효율성, 열 효율성 및 설계 헤드룸을 더욱 개선할 새로운 4세대 제품을 많이 선보일 예정이다. 이는 상용화 과제를 극복하고 혁신을 가속화하는데 있어 모든 부문을 지원할 것”이라고 덧붙였다.

 

CBC뉴스ㅣCBCNEWS 권오성 기자 press@cbci.co.kr

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