전직 삼성전자 연구원, 핵심 반도체 기술 유출 혐의로 구속기소

[CBC뉴스] 전직 삼성전자 연구원이 핵심 반도체 기술을 중국에 유출한 혐의로 구속기소됐다. 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 전 삼성전자 연구원 전모 씨를 국가 핵심기술을 부정하게 취득하고 사용한 혐의로 구속기소했다고 밝혔다.

전 씨는 삼성전자가 약 1조6천억 원을 들여 개발한 D램 공정 기술을 중국의 반도체 기업 CXMT로 유출한 혐의를 받고 있다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6천억 원을 투자해 설립한 최초의 D램 반도체 회사다.

검찰 조사에 따르면 전 씨는 삼성전자 부장 출신의 김모 씨와 함께 CXMT로 이직하면서 삼성전자의 기술을 빼돌리고 핵심 인력을 영입하는 등 D램 반도체 개발 계획을 수립한 것으로 드러났다. 이들은 수사에 대비해 체포되거나 출국금지될 경우를 대비해 암호를 사용하거나 다른 회사로 이직하는 것처럼 위장한 것으로 알려졌다.

전 씨는 CXMT로부터 계약 인센티브와 스톡옵션 등을 포함해 6년간 총 29억 원을 받은 것으로 밝혀졌다. 김 씨는 이미 지난해 1월 구속기소돼 1심에서 징역 7년과 벌금 2억 원을 선고받았다.

검찰은 이번 기술 유출로 인해 삼성전자가 지난해 수조 원의 매출 감소를 겪었고, 앞으로 최소 수십조 원의 손해가 발생할 것으로 예상하고 있다며 기술 유출 범죄에 엄정히 대응하겠다고 밝혔다. 또한, 공범에 대한 추적을 국제형사경찰기구(인터폴)를 통해 계속 진행 중이다.

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▮ CBC뉴스ㅣCBCNEWS 하영수 기자