삼성전자, 엔비디아 GTC서 차세대 HBM4E 메모리 솔루션 공개

삼성전자는 3월 16일부터 19일까지 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 Vera Rubin 플랫폼에 탑재되는 메모리 토털 솔루션을 독점 공급하는 역량을 선보이며 글로벌 AI 리더십을 강화했다.

이번 전시에서 삼성전자는 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4부터 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 종합반도체기업(IDM)의 강점을 부각했다. ‘Nvidia Gallery’에서는 AI 플랫폼 공동 완성을 위한 양사의 전략적 파트너십을 강조했다. 전시 공간은 AI 데이터 센터인 AI Factories, 온디바이스 AI(Local AI), 그리고 Physical AI 세 개 구역으로 구성돼 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 같은 차세대 삼성 메모리 아키텍처가 소개됐다.

행사 둘째 날인 3월 17일에는 삼성전자 AI센터장 송용호가 엔비디아 특별 초청으로 발표에 나서, 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성 메모리 토털 솔루션의 비전을 제시했다. 발표는 양사의 협력이 기술 수준을 뛰어넘어 AI 인프라 전반으로 확장되고 있음을 보여줬다.

삼성전자는 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM 기술 리더십을 집중 조명했다. HBM4 양산 경험에 기반한 1c D램 공정 기술과 삼성 파운드리 4나노 기반 다이 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 가속화하고, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

HBM4E는 메모리, 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술을 총망라한 최적화 협업으로 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원한다. 삼성전자는 TCB 대비 20% 이상 열 저항을 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 패키징 기술을 영상으로 소개하며 차세대 HBM 패키징 경쟁력을 부각했다.

또한 삼성전자는 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 4나노 베이스 다이를 전면 배치해 차세대 칩 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 구성했다. IDM의 토털 솔루션을 활용해 개발 효율을 높이고 고성능 HBM 시대에 성능과 품질의 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.

특히 이번 전시에서 삼성전자는 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼에 필요한 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. ‘Nvidia Gallery’에서는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 선보이며 양사의 협력을 강조했다.

삼성전자의 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초 양산 출하를 시작했으며, PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼 주 저장 장치다. 부스 내 서버에 PM1763이 탑재돼 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 최고 수준의 성능을 체감할 수 있었다.

더불어 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 향상을 위해 Vera Rubin 플랫폼의 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급하며, AI Factories 존에서 제품을 확인할 수 있도록 했다.

삼성전자는 앞으로도 Vera Rubin 플랫폼과 같은 고성능 AI 시스템을 지원하는 메모리 솔루션을 지속 공급하며, 양사는 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어갈 예정이다.