[CBC뉴스]삼성전자가 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 밝혀 눈길을 끌고 있다.

DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도라고 한다. 

삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량 고성능 저전력을 구현해, 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다. 

이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다.

HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

또한 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다.

삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다. 

삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.

한편 삼성전자는 2030년까지 133조원을 투자해 시스템반도체 세계 1위를  달성할 계획이다.

이를 위한 투자 및 고용확대와 별도로 국내 중소  팹리스 기업들을 대상으로 공정 설계 지원 ,시제품 생산 지원,기술교육 확대 등을 통해 경쟁력 향상 및 생태계 육성을 지원하고 있다.

이재용 부회장도 지난 1월 새해 첫 경영 행보로 반도체 사업을  점검하기도 했었다.

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CBC뉴스ㅣCBCNEWS 정종훈 기자 press@cbci.co.kr