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코인니스
디시오, 국내 최초 1700V 이상 SiC MOSFET 상용화 성공
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디시오, 국내 최초 1700V 이상 SiC MOSFET 상용화 성공
  • 김현진 기자
  • 승인 2025.12.16 18:51
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디시오 자료사진.
디시오 자료사진.

[CBC뉴스] 전력반도체 전문 기업 ㈜디시오가 1700V, 2000V, 2300V의 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 상용화에 성공하며, 고전압 전력반도체 시장 진출에 속도를 높이고 있다. 회사는 이번에 공개한 1200V 제품을 포함한 풀 라인업을 통해 신재생에너지, 전기차, 산업용 전력변환 장치 분야의 국내 주요 대기업들과 공급 협의를 진행 중이라고 밝혔다.

디시오는 전력반도체를 자체 설계, 양산, 판매하는 몇 안 되는 국내 전문 기업으로, 소자뿐만 아니라 전력 모듈까지 제공하는 것이 강점이다. 이번에 선보인 SiC MOSFET 라인업은 1200V, 1700V, 2000V, 2300V의 네 가지 전압 등급으로 구성되며, 특히 1700V 이상의 제품은 "국내 최초 상용화" 타이틀을 내세웠다.

1200V 제품의 핵심 지표인 단위 면적당 온저항(Rₛₚ)은 2.2mΩ·cm²로, 이는 글로벌 톱티어 수준에 해당한다. 디시오 관계자는 "1200V급에서 확보한 Low Rₛₚ 설계 및 공정 기술을 바탕으로 전압을 끌어올리면서도 손실과 발열을 억제하는 것이 이번 개발의 핵심"이라고 설명했다. 1700~2300V 제품군은 주로 대용량 신재생에너지 설비와 고전압 산업용 인버터 시장을 겨냥하고 있다.

디시오는 1200V 및 1700V 제품을 중심으로 산업용 인버터, 무정전전원장치(UPS), 용접기, 데이터센터용 전원장치 등 고효율이 요구되는 산업 인프라 시장을 공략할 계획이다. 이번 신제품을 통해 글로벌 Top-tier 제품군과 동등한 수준의 전류 전도 능력과 내구성을 확보함으로써, 외산 부품 의존도를 낮추고 국내 공급망 안정성을 높이는 데 기여할 것으로 기대된다는 사측 설명이다.

강미선 ㈜디시오 대표는 "이번 고성능 SiC MOSFET 출시는 국내 전력반도체 기술 수준을 한층 끌어올린 의미 있는 성과"라며 "앞으로도 SiC 기반 소자와 고전력 모듈의 제품군을 확장해 글로벌 시장에서도 확실한 기술 경쟁력을 입증하겠다"고 밝혔다.

 

 

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▮ CBC뉴스ㅣCBCNEWS 김현진 기자

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