[CBC뉴스] 삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다고 밝혔다.
EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만 개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 삼성전자 측은 전했다.
이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 'EUV 공정'을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다는 것이다.
EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 '멀티 패터닝' 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상하고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급 D램 양산 기술'을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 계획이다.
EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급 D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.
삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급 D램을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.
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